江南app下载纳米复合隧道层在浮栅晶体管中会触发光突触和电记忆功能吗？

2023-07-21 23:19:43

　　江南体育app下载近年来，有机电子设备已成为软电子的一种有前途的技术。通过在传统器件平台中引入各种功能材料，为开发高性能和多功能的高效有机电子元件做出了重大努力。现有的电子设备平台，如二极管、电容器、电阻器和晶体管，已被用作电子电路的主要部件。在所有器件平台中，晶体管已被广泛用于实现互补电路，包括逻辑、存储器和传感系统。

　　为了实现晶体管的目标导向电子特性，已经进行了大量研究，通过在保持器件结构的同时添加或定制特定层来改善功能或性能（例如迁移率、阈值电压、开/关比、工作电压、迟滞窗口和光响应度）。众所周知，晶体管的性能与半导体和栅极电介质的质量以及它们之间的界面密切相关。

　　实现具有更高质量和可靠性的高性能晶体管需要仔细的工艺控制、材料选择和器件设计相结合。为了能够多样化地使用具有光响应性或记忆特性等附加功能的晶体管，零维纳米材料（例如金属或半导体纳米晶体）已被广泛用作纳米填料，以增强电荷捕获或光吸收等光电性能。

　　将纳米材料掺入传统晶体管可以通过将它们与半导体或绝缘层混合或将它们用作两者之间的独立层来实现。半导体纳米晶体（NC）与金属纳米晶体的不同之处在于它们在暴露于光线时产生电荷和存储电荷的能力，使其成为可用于可以执行一系列功能的晶体管的通用材料江南app下载。

　　我们使用传统的底部栅极-顶部接触薄膜晶体管结构来实现双功能ONFGT，如图所示。ONFGT具有与典型的有机纳米浮栅晶体管相似的结构。然而，由于CsPbBr，它也具有多功能性3NCs-PS纳米复合材料和CsPbBr3NC分别作为隧道层和纳米浮栅